钼靶材的核心要求是高纯度、高致密度、均匀晶粒结构，工艺步骤如下：

　　原料提纯与粉末制备

　　采用电子级钼粉（纯度99.995%以上，粒度3-5μm），通过氢还原法进一步去除氧、碳等杂质（氧含量≤50ppm，碳≤10ppm）。

　　粉末筛分后进行气流分级，确保粒度分布均匀（D50=4-6μm），避免大颗粒导致烧结致密化困难。

　　成形与烧结

　　冷等静压（CIP）：将钼粉装入模具，在200-300MPa压力下压制为靶材素坯（尺寸略大于成品，密度达理论密度的65%-75%）。

　　真空烧结：在10⁻⁴Pa真空或纯氢气氛中，升温至2000-2200℃，保温4-6小时，通过固态扩散使粉末颗粒结合，致密度提升至≥98%。若需更高密度（≥99.5%），可采用热等静压（HIP）：在1800-2000℃、150-200MPa氩气压力下处理，消除内部孔隙。

　　塑性加工与晶粒细化

　　对烧结坯进行锻造或轧制：加热至1100-1300℃，通过多道次锻造（变形量50%-70%）或轧制，破碎粗晶粒（从100-200μm细化至20-50μm），提高靶材力学性能和溅射均匀性。

　　中间退火：每道次加工后在1000-1200℃氢气中退火，消除加工硬化，避免开裂。

　　精密机加工

　　采用金刚石刀具进行铣削、磨削，加工成平面靶（常见尺寸如300mm×100mm×5mm）或圆柱靶，保证平面度（≤0.01mm/m）、平行度（≤0.02mm），满足溅射设备装配要求。

　　表面处理：通过电解抛光去除加工痕迹，表面粗糙度Ra≤0.05μm，确保溅射时粒子发射均匀。

　　绑定与检测

　　为提高散热性，将钼靶与铜背靶通过扩散焊接（400-500℃，压力50-100MPa）或低温焊料（如铟基合金）绑定，界面热阻≤5×10⁻⁴K・m²/W。

　　质量检测：采用X射线荧光光谱（纯度）、超声探伤（内部缺陷）、电子探针（成分均匀性），确保无夹杂、气孔等缺陷。